Труды ИОФАН. Т.66. Структурные фазовые переходы

Код товара: 4253063

340.00 руб.

RUB

В наличии

Купить в один клик

Добавить в закладки

Добавить цитату

Доставка

Доставим в любой уголок мира.

Оплата

Оплачивайте покупки при получении.

Лояльность

Любые ситуации разрешаются в пользу покупателей.

В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Си, Ag и Аи и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-c(6x2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурных фазовых переходов, начиная с самых малых степе ней покрытия от 0.01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.

Характеристики Труды ИОФАН. Т.66. Структурные фазовые переходы


ISBN	978-5-02-037473-7
Автор	Нет автора
Вес	284 г
Год издания	2010
Издательство	Наука
Количество страниц	202
Переплет	Мягкий
Тип товара	Книга
Формат издания	1x16x24 см
Язык издания	русский